内存条时序怎么和卖的不一样

在官方产品规格表中，内存时序通常以“CL-tRCD-tRP-tRAS”的形式表示，其中：
CL (CAS Latency)："列地址选通延迟"，表示读取或写入内存数据的延迟时钟周期数。
tRCD (Row Address to Column Address Delay)："行地址到列地址延迟"，表示激活一个新行并访问其列的延迟时钟周期数。
tRP (Row Precharge Delay)："行预充电延迟"，表示关闭一个行以激活一个新行的延迟时钟周期数。
tRAS (Row Active Time)："行激活时间"，表示一个行保持激活状态以进行连续访问的时间（以时钟周期数表示）。

零售商对内存时序的标法

然而，在零售商的广告和产品描述中，内存时序通常以“频率：时序”的形式表示，例如“DDR4-3200：16-18-18-38”。
频率：表示内存模块的工作频率，如“3200”。
时序：表示CL、tRCD、tRP和tRAS的总和，如“16-18-18-38”。

时序和频率的差异

虽然零售商的标法允许消费者轻松比较不同内存模块的整体性能，但它也掩盖了实际的内存时序。 高频率内存模块不一定具有更好的时序，而低频率内存模块也可能具有出色的时序。
为了准确比较内存模块的性能，建议参考官方产品规格表并关注实际的内存时序，而不是零售商的简化表示。