3200频率内存时序多少最佳

内存时序参数3200（16）8G×16，CL16-16-161.35V为好，默认DDR42133，1.2V，加载XMP可以直接提升频率为DDR4320016-16-16-362T，高频下的电压为1.35V。 ddr4内存不动第一时序就尽量不动第一时序，首先应该从调整第二时序入手，放大tRFC、tREF一般可以获得更高的频率。

内存的工作标准电压为1.35V，正常时序为16-18-18-38。 内存时序是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数之一。

为16最佳。 3200MHz是比较高的内存频率，在笔记本中使用时，给作系统和应用程序带来了很好的性能提升。 而内存时序也是很重要的，影响着内存寻址的效率，而较佳的内存时序是CASLatency为16最佳。

将金士顿3200的内存超频到3600时，最佳的时序设置是18-22-22-42。 内存模块的CAS延迟（CL）设置为18个时钟周期，RAS到CAS延迟（tRCD）设置为22个时钟周期，行预充电时间（tRP）设置为22个时钟周期，以及行活到预充电时间（tRAS）设置为42个时钟周期。 可以在保稳定性获得较高的性能。