CL(CAS 延迟)是内存术语,表示访问内存的列地址信号(CAS)延迟时间。 它以时钟周期为单位测量。
CL15 和 CL16
CL15:表示 CAS 延迟为 15 个时钟周期。
CL16:表示 CAS 延迟为 16 个时钟周期。
值越低越好
CL 值越低,内存访问速度越快。 CL15 内存比 CL16 内存的 CAS 延迟短一个时钟周期,因此访问内存的速度稍快一些。
影响因素
CL 值受以下因素影响:
内存类型: DDR4 内存通常具有较低的 CL 值(例如 CL15 或 CL16)比 DDR3 内存(例如 CL17 或 CL18)。
内存速度: 更快的内存通常具有较低的 CL 值。 例如,具有相同 CL 值的 DDR4-3200 内存比 DDR4-2666 内存访问速度更快。
内存模块密度: 具有相同速度和类型的内存模块,密度较高的模块(例如 16GB DIMM)通常具有较高的 CL 值。
性能影响
虽然 CL 值对内存性能很重要,但它并不是影响整体系统性能的唯一因素。 其他因素,例如内存速度、内存容量和 CPU 架构,也起着重要作用。
总的来说,CL15 内存提供比 CL16 内存略快一点的内存访问速度。 但是,对于大多数日常任务和游戏来说,性能差异可能很小。 在选择内存时,考虑内存速度、容量和整体系统配置等其他因素也很重要。